PHT6NQ10T,135 | Nexperia PHT6NQ10T,135 | PHT6NQ10T,135 Inventory, Best Pricing

PHT6NQ10T,135

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Numero parte	PHT6NQ10T,135
LIXINC Part #	PHT6NQ10T,135
Produttore	Nexperia
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	PHT6NQ10T,135 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

PHT6NQ10T,135 Specifiche

Numero parte:	PHT6NQ10T,135
Marca:	Nexperia
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Nexperia
serie:	TrenchMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	3A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	21 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	633 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
temperatura di esercizio:	-65°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	SOT-223
pacchetto/caso:	TO-261-4, TO-261AA

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