RM8N650TI

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Numero parte RM8N650TI
LIXINC Part # RM8N650TI
Produttore Rectron USA
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO220F
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RM8N650TI Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RM8N650TI Specifiche

Numero parte:RM8N650TI
Marca:Rectron USA
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rectron USA
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8A (Tj)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:450mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:680 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):31.7W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220F
pacchetto/caso:TO-220-3 Full Pack

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