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Numero parte | BTS282ZE3230AKSA2 |
LIXINC Part # | BTS282ZE3230AKSA2 |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | BTS282 - TEMPFET, AUTOMOTIVE LOW |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | BTS282ZE3230AKSA2 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | BTS282ZE3230AKSA2 |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | TEMPFET® |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 49 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 80A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 6.5mOhm @ 36A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2V @ 240µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 232 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 4.8 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | Temperature Sensing Diode |
dissipazione di potenza (max): | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-TO220-7-12 |
pacchetto/caso: | TO-220-7 |
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In magazzino | 11430 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.51000 | $2.51 |
10 | $2.24170 | $22.417 |
100 | $1.83833 | $183.833 |
500 | $1.48859 | $744.295 |
1000 | $1.25544 | $1255.44 |
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