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FQP9N08L

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Numero parte	FQP9N08L
LIXINC Part #	FQP9N08L
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FQP9N08L Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FQP9N08L Specifiche

Numero parte:	FQP9N08L
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	QFET®
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	9.3A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	210mOhm @ 4.65A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	6.1 nC @ 5 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	280 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	40W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220-3
pacchetto/caso:	TO-220-3

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