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Numero parte | SSM3K15AFU,LF |
LIXINC Part # | SSM3K15AFU,LF |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 100MA USM |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SSM3K15AFU,LF Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SSM3K15AFU,LF |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | U-MOSIII |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 100mA (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 2.5V, 4V |
rds su (max) @ id, vgs: | 3.6Ohm @ 10mA, 4V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1.5V @ 100µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | - |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 13.5 pF @ 3 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 150mW (Ta) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | USM |
pacchetto/caso: | SC-70, SOT-323 |
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In magazzino | 10872 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.25000 | $0.25 |
3000 | $0.04073 | $122.19 |
6000 | $0.03542 | $212.52 |
15000 | $0.03010 | $451.5 |
30000 | $0.02833 | $849.9 |
75000 | $0.02656 | $1992 |
150000 | $0.02479 | $3718.5 |
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