BSS84XHZGG2CR

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Numero parte BSS84XHZGG2CR
LIXINC Part # BSS84XHZGG2CR
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSS84XHZGG2CR Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 19 - Sep 23 2024(Scegli spedizione rapida)
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BSS84XHZGG2CR Specifiche

Numero parte:BSS84XHZGG2CR
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:230mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:5.3Ohm @ 230mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:34 pF @ 30 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DFN1010-3W
pacchetto/caso:3-XFDFN

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