SPP18P06PHXKSA1

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Numero parte SPP18P06PHXKSA1
LIXINC Part # SPP18P06PHXKSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SPP18P06PHXKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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SPP18P06PHXKSA1 Specifiche

Numero parte:SPP18P06PHXKSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:SIPMOS®
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:18.7A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:130mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:860 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):81.1W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO220-3
pacchetto/caso:TO-220-3

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