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Numero parte | TPH3208LD |
LIXINC Part # | TPH3208LD |
Produttore | Transphorm |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TPH3208LD Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 20 - Sep 24 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | TPH3208LD |
Marca: | Transphorm |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Transphorm |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
tensione drain-source (vdss): | 650 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 20A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 130mOhm @ 13A, 8V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.6V @ 300µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 14 nC @ 8 V |
vgs (massimo): | ±18V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 760 pF @ 400 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 96W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 4-PQFN (8x8) |
pacchetto/caso: | 4-PowerDFN |
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In magazzino | 10999 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $13.09000 | $13.09 |
10 | $11.78100 | $117.81 |
100 | $9.68660 | $968.66 |
500 | $8.11580 | $4057.9 |
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