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PMXB350UPEZ

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Numero parte	PMXB350UPEZ
LIXINC Part #	PMXB350UPEZ
Produttore	Nexperia
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	PMXB350UPEZ Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 20 - Sep 24 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

PMXB350UPEZ Specifiche

Numero parte:	PMXB350UPEZ
Marca:	Nexperia
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Nexperia
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	1.2A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	1.2V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:	447mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	950mV @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	2.3 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	116 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	360mW (Ta), 5.68W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	DFN1010D-3
pacchetto/caso:	3-XDFN Exposed Pad

TPH3208LD	GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN	822 Maggiori informazioni su Ordine
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IRF9530	MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB	5164 Maggiori informazioni su Ordine
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IRFBC30STRLPBF	MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK	1595 Maggiori informazioni su Ordine
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