FDMA910PZ | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMA910PZ

FDMA910PZ

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Numero parte	FDMA910PZ
LIXINC Part #	FDMA910PZ
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDMA910PZ Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 20 - Sep 24 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDMA910PZ Specifiche

Numero parte:	FDMA910PZ
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	9.4A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:	20mOhm @ 9.4A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	1.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2805 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.4W (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	6-MicroFET (2x2)
pacchetto/caso:	6-VDFN Exposed Pad

BSC100N06LS3GATMA1	MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON	199922 Maggiori informazioni su Ordine
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