2N7002DW L6327

2N7002DW L6327
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Numero parte 2N7002DW L6327
LIXINC Part # 2N7002DW L6327
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 2N7002DW L6327 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
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2N7002DW L6327 Specifiche

Numero parte:2N7002DW L6327
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):60V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:300mA
rds su (max) @ id, vgs:3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:0.6nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:20pF @ 25V
potenza - max:500mW
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-SOT363-6

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