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Numero parte | 2N7002DW L6327 |
LIXINC Part # | 2N7002DW L6327 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | 2N7002DW L6327 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | 2N7002DW L6327 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | OptiMOS™ |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | 2 N-Channel (Dual) |
caratteristica del feto: | Logic Level Gate |
tensione drain-source (vdss): | 60V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 300mA |
rds su (max) @ id, vgs: | 3Ohm @ 500mA, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 0.6nC @ 10V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 20pF @ 25V |
potenza - max: | 500mW |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-SOT363-6 |
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AO8804 | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8TSSOP | 941 Maggiori informazioni su Ordine |
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TPC8212-H(TE12LQ,M | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 | 883 Maggiori informazioni su Ordine |
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AOC4810 | MOSFET 2N-CH 8-DFN | 946 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10821 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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