PMWD26UN,518

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Numero parte PMWD26UN,518
LIXINC Part # PMWD26UN,518
Produttore NXP Semiconductors
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PMWD26UN,518 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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PMWD26UN,518 Specifiche

Numero parte:PMWD26UN,518
Marca:NXP Semiconductors
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:NXP Semiconductors
serie:TrenchMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):20V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:7.8A
rds su (max) @ id, vgs:30mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:700mV @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:23.6nC @ 4.5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1366pF @ 16V
potenza - max:3.1W
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-TSSOP

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