TPC8212-H(TE12LQ,M

TPC8212-H(TE12LQ,M
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Numero parte TPC8212-H(TE12LQ,M
LIXINC Part # TPC8212-H(TE12LQ,M
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TPC8212-H(TE12LQ,M Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
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TPC8212-H(TE12LQ,M Specifiche

Numero parte:TPC8212-H(TE12LQ,M
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6A
rds su (max) @ id, vgs:21mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.3V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:16nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:840pF @ 10V
potenza - max:450mW
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SOP (5.5x6.0)

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