SI5915BDC-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI5915BDC-T1-E3 | SI5915BDC-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI5915BDC-T1-E3

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Numero parte	SI5915BDC-T1-E3
LIXINC Part #	SI5915BDC-T1-E3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array
Descrizione	MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SI5915BDC-T1-E3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SI5915BDC-T1-E3 Specifiche

Numero parte:	SI5915BDC-T1-E3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - array
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	2 P-Channel (Dual)
caratteristica del feto:	Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):	8V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	4A
rds su (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 3.3A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	14nC @ 8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	420pF @ 4V
potenza - max:	3.1W
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	8-SMD, Flat Lead
pacchetto del dispositivo del fornitore:	1206-8 ChipFET™

AO8804	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8TSSOP	897 Maggiori informazioni su Ordine
TPC8212-H(TE12LQ,M	MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8	936 Maggiori informazioni su Ordine
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AO4914L	MOSFET 2N-CH 30V 8A	889 Maggiori informazioni su Ordine
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SIS902DN-T1-GE3	MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8	940 Maggiori informazioni su Ordine
TPCF8402(TE85L,F,M	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8	922 Maggiori informazioni su Ordine
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SIZ900DT-T1-GE3	MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR	803 Maggiori informazioni su Ordine