SI4814BDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI4814BDY-T1-GE3 | SI4814BDY-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI4814BDY-T1-GE3

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Numero parte	SI4814BDY-T1-GE3
LIXINC Part #	SI4814BDY-T1-GE3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SI4814BDY-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SI4814BDY-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:	SI4814BDY-T1-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - array
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	LITTLE FOOT®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	2 N-Channel (Half Bridge)
caratteristica del feto:	Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):	30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	10A, 10.5A
rds su (max) @ id, vgs:	18mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	10nC @ 4.5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	-
potenza - max:	3.3W, 3.5W
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-SO

AO8804_100	MOSFET 2N-CH 20V	921 Maggiori informazioni su Ordine
SI4933DY-T1-GE3	MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC	811 Maggiori informazioni su Ordine
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AO8804	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8TSSOP	844 Maggiori informazioni su Ordine
TPC8212-H(TE12LQ,M	MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8	878 Maggiori informazioni su Ordine
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NDS9957	MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC	858 Maggiori informazioni su Ordine