IRLB3813PBF

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Numero parte IRLB3813PBF
LIXINC Part # IRLB3813PBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRLB3813PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRLB3813PBF Specifiche

Numero parte:IRLB3813PBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:260A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:1.95mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.35V @ 150µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:86 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:8420 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):230W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220AB
pacchetto/caso:TO-220-3

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