FCP11N60F | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FCP11N60F

FCP11N60F

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Numero parte	FCP11N60F
LIXINC Part #	FCP11N60F
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FCP11N60F Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FCP11N60F Specifiche

Numero parte:	FCP11N60F
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	SuperFET™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	11A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	52 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1490 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	125W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220-3
pacchetto/caso:	TO-220-3

IRFBF20SPBF	MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK	1016 Maggiori informazioni su Ordine
PSMN2R6-60PSQ127	MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB	885 Maggiori informazioni su Ordine
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NDB5060L	MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK	3302 Maggiori informazioni su Ordine
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SIS888DN-T1-GE3	MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK	4035 Maggiori informazioni su Ordine
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FDA16N50	MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN	1326 Maggiori informazioni su Ordine
FQD3P50TM	MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK	834 Maggiori informazioni su Ordine