NTNS3A65PZT5G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTNS3A65PZT5G

NTNS3A65PZT5G

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Numero parte	NTNS3A65PZT5G
LIXINC Part #	NTNS3A65PZT5G
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NTNS3A65PZT5G Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NTNS3A65PZT5G Specifiche

Numero parte:	NTNS3A65PZT5G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	281mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	1.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:	1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	1.1 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	44 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	155mW (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
pacchetto/caso:	SC-101, SOT-883

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