PSMN2R6-60PSQ127

PSMN2R6-60PSQ127
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Numero parte PSMN2R6-60PSQ127
LIXINC Part # PSMN2R6-60PSQ127
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PSMN2R6-60PSQ127 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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PSMN2R6-60PSQ127 Specifiche

Numero parte:PSMN2R6-60PSQ127
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:TrenchMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:150A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:2.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:140 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:7629 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):326W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220AB
pacchetto/caso:TO-220-3

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