SIS888DN-T1-GE3

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Numero parte SIS888DN-T1-GE3
LIXINC Part # SIS888DN-T1-GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SIS888DN-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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SIS888DN-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:SIS888DN-T1-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:ThunderFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):150 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20.2A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):7.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:58mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:14.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:420 pF @ 75 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):52W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
pacchetto/caso:PowerPAK® 1212-8S

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