FDS86242 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDS86242

FDS86242

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Numero parte	FDS86242
LIXINC Part #	FDS86242
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDS86242 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDS86242 Specifiche

Numero parte:	FDS86242
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	150 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	4.1A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	67mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	13 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	760 pF @ 75 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.5W (Ta), 5W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-SOIC
pacchetto/caso:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF253	MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE	831 Maggiori informazioni su Ordine
SI2314EDS-T1-E3	MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3	12988 Maggiori informazioni su Ordine
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ZVN4206GTA	MOSFET N-CH 60V 1A SOT223	8367 Maggiori informazioni su Ordine
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