BUK655R0-75C,127 | Rochester Electronics BUK655R0-75C,127 | BUK655R0-75C,127 Inventory, Best Pricing

BUK655R0-75C,127

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Numero parte	BUK655R0-75C,127
LIXINC Part #	BUK655R0-75C,127
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	BUK655R0-75C,127 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

BUK655R0-75C,127 Specifiche

Numero parte:	BUK655R0-75C,127
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	TrenchMOS™
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	75 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	120A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	5.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.8V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	177 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	11.4 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	263W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220AB
pacchetto/caso:	TO-220-3

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