SISS60DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SISS60DN-T1-GE3 | SISS60DN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SISS60DN-T1-GE3

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Numero parte	SISS60DN-T1-GE3
LIXINC Part #	SISS60DN-T1-GE3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SISS60DN-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 08 - Jul 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SISS60DN-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:	SISS60DN-T1-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET® Gen IV
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	1.31mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	85.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):	+16V, -12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	3960 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	Schottky Diode (Body)
dissipazione di potenza (max):	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PowerPAK® 1212-8S
pacchetto/caso:	PowerPAK® 1212-8S

SFU9130TU	P-CHANNEL POWER MOSFET	5905 Maggiori informazioni su Ordine
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