IMBF170R450M1XTMA1

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Numero parte IMBF170R450M1XTMA1
LIXINC Part # IMBF170R450M1XTMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IMBF170R450M1XTMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IMBF170R450M1XTMA1 Specifiche

Numero parte:IMBF170R450M1XTMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:CoolSiC™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
tensione drain-source (vdss):1700 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9.8A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):12V, 15V
rds su (max) @ id, vgs:450mOhm @ 2A, 15V
vgs(th) (massimo) @ id:5.7V @ 2.5mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 12 V
vgs (massimo):+20V, -10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:610 pF @ 1000 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):107W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO263-7
pacchetto/caso:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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