Solo per riferimento
Numero parte | IMBF170R450M1XTMA1 |
LIXINC Part # | IMBF170R450M1XTMA1 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IMBF170R450M1XTMA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 08 - Jul 12 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | IMBF170R450M1XTMA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | CoolSiC™ |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
tensione drain-source (vdss): | 1700 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 9.8A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 12V, 15V |
rds su (max) @ id, vgs: | 450mOhm @ 2A, 15V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 5.7V @ 2.5mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 11 nC @ 12 V |
vgs (massimo): | +20V, -10V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 610 pF @ 1000 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 107W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-TO263-7 |
pacchetto/caso: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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In magazzino | 11491 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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