STP26N65DM2

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Numero parte STP26N65DM2
LIXINC Part # STP26N65DM2
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STP26N65DM2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 22 - Oct 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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STP26N65DM2 Specifiche

Numero parte:STP26N65DM2
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:MDmesh™ DM2
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:35.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1480 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):170W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220
pacchetto/caso:TO-220-3

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