IXFN66N85X

IXFN66N85X
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Numero parte IXFN66N85X
LIXINC Part # IXFN66N85X
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXFN66N85X Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 22 - Oct 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IXFN66N85X Specifiche

Numero parte:IXFN66N85X
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:HiPerFET™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):850 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:65A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:65mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5.5V @ 8mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:230 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:8900 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):830W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:SOT-227B
pacchetto/caso:SOT-227-4, miniBLOC

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