IRFB23N20DPBF

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Numero parte IRFB23N20DPBF
LIXINC Part # IRFB23N20DPBF
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione SMPS HEXFET POWER MOSFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFB23N20DPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRFB23N20DPBF Specifiche

Numero parte:IRFB23N20DPBF
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:HEXFET®
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:24A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:100mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:86 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.96 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 170W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220AB
pacchetto/caso:TO-220-3

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