FQD4N25TM-WS

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Numero parte FQD4N25TM-WS
LIXINC Part # FQD4N25TM-WS
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FQD4N25TM-WS Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 22 - Oct 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FQD4N25TM-WS Specifiche

Numero parte:FQD4N25TM-WS
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:QFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):250 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:1.75Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:5.6 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:200 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 37W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D-Pak
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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