TK32E12N1,S1X | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

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Numero parte	TK32E12N1,S1X
LIXINC Part #	TK32E12N1,S1X
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	TK32E12N1,S1X Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

TK32E12N1,S1X Specifiche

Numero parte:	TK32E12N1,S1X
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVIII-H
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	120 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	60A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	13.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 500µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	34 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2000 pF @ 60 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	98W (Tc)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220
pacchetto/caso:	TO-220-3

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