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Numero parte | DN2530N3-G |
LIXINC Part # | DN2530N3-G |
Produttore | Roving Networks / Microchip Technology |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 300V 175MA TO92 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | DN2530N3-G Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | DN2530N3-G |
Marca: | Roving Networks / Microchip Technology |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Roving Networks / Microchip Technology |
serie: | - |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 300 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 175mA (Tj) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 0V |
rds su (max) @ id, vgs: | 12Ohm @ 150mA, 0V |
vgs(th) (massimo) @ id: | - |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | - |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 300 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | Depletion Mode |
dissipazione di potenza (max): | 740mW (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-92 (TO-226) |
pacchetto/caso: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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In magazzino | 13827 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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