SSM5H90ATU,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM5H90ATU,LF

SSM5H90ATU,LF

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Numero parte	SSM5H90ATU,LF
LIXINC Part #	SSM5H90ATU,LF
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 2.4A UFV
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SSM5H90ATU,LF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SSM5H90ATU,LF Specifiche

Numero parte:	SSM5H90ATU,LF
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	2.4A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	2.5V, 4V
rds su (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 1.5A, 4V
vgs(th) (massimo) @ id:	1.2V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	2.2 nC @ 4 V
vgs (massimo):	±10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	200 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	500mW (Ta)
temperatura di esercizio:	150°C
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	UFV
pacchetto/caso:	5-SMD, Flat Leads

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