IXFX200N10P

IXFX200N10P
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Numero parte IXFX200N10P
LIXINC Part # IXFX200N10P
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXFX200N10P Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IXFX200N10P Specifiche

Numero parte:IXFX200N10P
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:HiPerFET™, PolarP2™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:200A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:7.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 8mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:235 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:7600 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):830W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PLUS247™-3
pacchetto/caso:TO-247-3

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