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Numero parte | 2SK1835-E |
LIXINC Part # | 2SK1835-E |
Produttore | Renesas Electronics America |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | 2SK1835-E Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | 2SK1835-E |
Marca: | Renesas Electronics America |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Renesas Electronics America |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 1500 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 4A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 15V |
rds su (max) @ id, vgs: | 7Ohm @ 2A, 15V |
vgs(th) (massimo) @ id: | - |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | - |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1700 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-3P |
pacchetto/caso: | TO-3P-3, SC-65-3 |
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In magazzino | 17704 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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120 | $5.80900 | $697.08 |
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1020 | $4.39600 | $4483.92 |
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