NTRV4101PT1G

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Numero parte NTRV4101PT1G
LIXINC Part # NTRV4101PT1G
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NTRV4101PT1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida)
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NTRV4101PT1G Specifiche

Numero parte:NTRV4101PT1G
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.8A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:85mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:8.5 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:675 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):420mW (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
pacchetto/caso:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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