IPW65R190E6FKSA1 | Rochester Electronics IPW65R190E6FKSA1 | IPW65R190E6FKSA1 Inventory, Best Pricing

IPW65R190E6FKSA1

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Numero parte	IPW65R190E6FKSA1
LIXINC Part #	IPW65R190E6FKSA1
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPW65R190E6FKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPW65R190E6FKSA1 Specifiche

Numero parte:	IPW65R190E6FKSA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	CoolMOS™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	20.2A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	190mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 730µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	73 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1.62 pF @ 100 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	151W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO247-3
pacchetto/caso:	TO-247-3

NVMFS5H663NLT1G	MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN	983 Maggiori informazioni su Ordine
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IRFP150A	MOSFET N-CH 100V 43A TO3PN	904 Maggiori informazioni su Ordine
FQB25N33TM	MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK	18503 Maggiori informazioni su Ordine
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