NVMFS5H663NLT1G

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Numero parte NVMFS5H663NLT1G
LIXINC Part # NVMFS5H663NLT1G
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NVMFS5H663NLT1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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NVMFS5H663NLT1G Specifiche

Numero parte:NVMFS5H663NLT1G
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:16.2A (Ta), 67A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:7.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 56µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1131 pF @ 30 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.7W (Ta), 63W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacchetto/caso:8-PowerTDFN, 5 Leads

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