BSB044N08NN3GXUMA1

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Numero parte BSB044N08NN3GXUMA1
LIXINC Part # BSB044N08NN3GXUMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSB044N08NN3GXUMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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BSB044N08NN3GXUMA1 Specifiche

Numero parte:BSB044N08NN3GXUMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:18A (Ta), 90A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:4.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.5V @ 97µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:73 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5700 pF @ 40 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.2W (Ta), 78W (Tc)
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:MG-WDSON-2, CanPAK M™
pacchetto/caso:3-WDSON

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