RM25N30DN

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Numero parte RM25N30DN
LIXINC Part # RM25N30DN
Produttore Rectron USA
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 8DFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RM25N30DN Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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RM25N30DN Specifiche

Numero parte:RM25N30DN
Marca:Rectron USA
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rectron USA
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:25A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:10mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1530 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):25W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-DFN-EP (3x3)
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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