IXTH12N100L

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Numero parte IXTH12N100L
LIXINC Part # IXTH12N100L
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXTH12N100L Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IXTH12N100L Specifiche

Numero parte:IXTH12N100L
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):1000 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:12A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):20V
rds su (max) @ id, vgs:1.3Ohm @ 500mA, 20V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:155 nC @ 20 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2500 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):400W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247 (IXTH)
pacchetto/caso:TO-247-3

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