IRFB7434PBF

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Numero parte IRFB7434PBF
LIXINC Part # IRFB7434PBF
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione IRFB7434 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFB7434PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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IRFB7434PBF Specifiche

Numero parte:IRFB7434PBF
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:HEXFET®, StrongIRFET™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:195A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.9V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:324 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:10.82 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):294W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220AB
pacchetto/caso:TO-220-3

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