AUIRF7309Q

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Numero parte AUIRF7309Q
LIXINC Part # AUIRF7309Q
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD AUIRF7309Q Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

AUIRF7309Q Specifiche

Numero parte:AUIRF7309Q
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N and P-Channel
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4A, 3A
rds su (max) @ id, vgs:50mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:25nC @ 4.5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:520pF @ 15V
potenza - max:1.4W
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SO

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