SI4967DY-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI4967DY-T1-E3 | SI4967DY-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI4967DY-T1-E3

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Numero parte	SI4967DY-T1-E3
LIXINC Part #	SI4967DY-T1-E3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array
Descrizione	MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SI4967DY-T1-E3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SI4967DY-T1-E3 Specifiche

Numero parte:	SI4967DY-T1-E3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - array
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	2 P-Channel (Dual)
caratteristica del feto:	Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):	12V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	-
rds su (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 7.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	450mV @ 250µA (Min)
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	55nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	-
potenza - max:	2W
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-SO

SIB911DK-T1-GE3	MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6	850 Maggiori informazioni su Ordine
ZXMN6A11DN8TC	MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC	980 Maggiori informazioni su Ordine
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IRF7506TRPBF	MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8	957 Maggiori informazioni su Ordine
SI4952DY-T1-GE3	MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC	943 Maggiori informazioni su Ordine
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FDG6301N-F085P	DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM	1000 Maggiori informazioni su Ordine
PMGD8000LN,115	MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP	978 Maggiori informazioni su Ordine
AO4613_001	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC	890 Maggiori informazioni su Ordine
IRF7901D1TR	MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC	809 Maggiori informazioni su Ordine