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Numero parte | SIB911DK-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIB911DK-T1-GE3 |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SIB911DK-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SIB911DK-T1-GE3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | TrenchFET® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | 2 P-Channel (Dual) |
caratteristica del feto: | Standard |
tensione drain-source (vdss): | 20V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 2.6A |
rds su (max) @ id, vgs: | 295mOhm @ 1.5A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 4nC @ 8V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 115pF @ 10V |
potenza - max: | 3.1W |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
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In magazzino | 10934 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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