SIB911DK-T1-GE3

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Numero parte SIB911DK-T1-GE3
LIXINC Part # SIB911DK-T1-GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SIB911DK-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIB911DK-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:SIB911DK-T1-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:2 P-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Standard
tensione drain-source (vdss):20V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2.6A
rds su (max) @ id, vgs:295mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:4nC @ 8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:115pF @ 10V
potenza - max:3.1W
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:PowerPAK® SC-75-6L Dual
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerPAK® SC-75-6L Dual

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