MVDF2C03HDR2G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MVDF2C03HDR2G

MVDF2C03HDR2G

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Numero parte	MVDF2C03HDR2G
LIXINC Part #	MVDF2C03HDR2G
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	MVDF2C03HDR2G Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

MVDF2C03HDR2G Specifiche

Numero parte:	MVDF2C03HDR2G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - array
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N and P-Channel Complementary
caratteristica del feto:	Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):	30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	4.1A, 3A
rds su (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	16nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	630pF @ 24V
potenza - max:	2W
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-SOIC

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