IPG20N06S4L14ATMA1

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Numero parte IPG20N06S4L14ATMA1
LIXINC Part # IPG20N06S4L14ATMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2N-CH 8TDSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPG20N06S4L14ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
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IPG20N06S4L14ATMA1 Specifiche

Numero parte:IPG20N06S4L14ATMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Discontinued at Digi-Key
tipo di feto:2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):60V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A
rds su (max) @ id, vgs:13.7mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.2V @ 20µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:39nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2890pF @ 25V
potenza - max:50W
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-PowerVDFN
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TDSON-8-4

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