BSD223P L6327

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Numero parte BSD223P L6327
LIXINC Part # BSD223P L6327
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSD223P L6327 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSD223P L6327 Specifiche

Numero parte:BSD223P L6327
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:2 P-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):20V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:390mA
rds su (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.2V @ 1.5µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:0.62nC @ 4.5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:56pF @ 15V
potenza - max:250mW
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-SOT363-6

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