SI1988DH-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI1988DH-T1-GE3 | SI1988DH-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI1988DH-T1-GE3

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Numero parte	SI1988DH-T1-GE3
LIXINC Part #	SI1988DH-T1-GE3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SI1988DH-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SI1988DH-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:	SI1988DH-T1-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - array
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:	Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):	20V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	1.3A
rds su (max) @ id, vgs:	168mOhm @ 1.4A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	4.1nC @ 8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	110pF @ 10V
potenza - max:	1.25W
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pacchetto del dispositivo del fornitore:	SC-70-6 (SOT-363)

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TPC8208(TE12L,Q,M)	MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8	928 Maggiori informazioni su Ordine
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IRF7379PBF	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC	972 Maggiori informazioni su Ordine
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SP8K5TB	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC	970 Maggiori informazioni su Ordine
SP8J1TB	MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC	857 Maggiori informazioni su Ordine