TPC8208(TE12L,Q,M)

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Numero parte TPC8208(TE12L,Q,M)
LIXINC Part # TPC8208(TE12L,Q,M)
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TPC8208(TE12L,Q,M) Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
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TPC8208(TE12L,Q,M) Specifiche

Numero parte:TPC8208(TE12L,Q,M)
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):20V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5A
rds su (max) @ id, vgs:50mOhm @ 2.5A, 4V
vgs(th) (massimo) @ id:1.2V @ 200µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:9.5nC @ 5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:780pF @ 10V
potenza - max:450mW
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SOP (5.5x6.0)

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