IRF7379PBF

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Numero parte IRF7379PBF
LIXINC Part # IRF7379PBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRF7379PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IRF7379PBF Specifiche

Numero parte:IRF7379PBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N and P-Channel
caratteristica del feto:Standard
tensione drain-source (vdss):30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5.8A, 4.3A
rds su (max) @ id, vgs:45mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:25nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:520pF @ 25V
potenza - max:2.5W
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SO

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