TPC8115(TE12L,Q,M)

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Numero parte TPC8115(TE12L,Q,M)
LIXINC Part # TPC8115(TE12L,Q,M)
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TPC8115(TE12L,Q,M) Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida)
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TPC8115(TE12L,Q,M) Specifiche

Numero parte:TPC8115(TE12L,Q,M)
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:U-MOSIV
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:10A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:10mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.2V @ 200µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:115 nC @ 5 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:9130 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SOP (5.5x6.0)
pacchetto/caso:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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